圖：香港首條超高真空“第三代半導體氮化鎵外延片中試線”，明年可望實現通線。

 

　　【大公報訊】記者郭如佳報道：香港科技園與麻省光子技術合作的香港首條超高真空“第三代半導體氮化鎵外延片中試線”正在推進，據了解，該項目明年可望實現通線，為香港半導體制造產業(yè)鏈提供關鍵的技術支撐。這對推動香港微電子產業(yè)發(fā)展，進一步完善本港創(chuàng)科生態(tài)圈有重要意義。

　　在去年的啟動儀式上，麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韜表示，公司計劃于科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心，以及于創(chuàng)新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少二億港元及設立研發(fā)團隊，帶動整個第三代半導體產業(yè)鏈布局。

　　廖翊韜提到，公司計劃入駐香港科學園微電子中心，建設香港首條八吋氮化鎵外延片的研發(fā)中試產線，希望通過新產品的中試研發(fā)和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，三年內完成中試并啟動在香港的氮化鎵外延量產的產線建設，實現年產一萬片八吋氮化鎵晶圓產能，將香港制造的外延片產品推向全球市場。

　　在香港特別行政區(qū)政府公布的《香港創(chuàng)新科技發(fā)展藍圖》，其中一個發(fā)展方向為完善創(chuàng)科生態(tài)圈，推進香港“新型工業(yè)化”，而政府會大力支持先進制造產業(yè)，包括半導體產業(yè)在港設立或擴展先進制造生產線。

　　據創(chuàng)科局局長孫東介紹，特區(qū)政府正以產業(yè)導向為原則，積極推進微電子產業(yè)發(fā)展。香港將設立碳化矽和氮化鎵兩條中試線，協(xié)助初創(chuàng)、中小企業(yè)進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。

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